高功率应用中IGBT开关电路的突发脉冲磁场干扰效应研究

高功率应用中IGBT开关电路的突发脉冲磁场干扰效应研究 绝缘栅双极晶体管(IGBT)通常在复杂的电磁环境中运行,然而,关于磁场干扰(MFI)对其性能和可靠性的影响的研究较少,尤其是在高功率应用中。本文提出了一种结合计算磁学方法和电路建模技术的混合方法,用于研究突发脉冲磁场对IGBT模块的干扰效应。首先,通过等效电路模型表示IGBT模块,随后针对其易受干扰的区域进行磁场仿真。仿真不同时间步长的磁场分布、涡流分布、磁通密度以及IGBT模块中的温升。此外,通过实

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IGBT芯片工艺流程[2024.06.29]

         IGBT,全称绝缘栅双极性晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor),是由MOS(绝缘栅型场效应管)和BJT(双极性晶体管)组成的复合全控型功率半导体器件,俗称电力电子装置的“CPU”,通过十几伏的门极控制信号,即可实现kV级电压和kA级电流的控制,作为国家战略性新兴产业,在轨道交通、智能电网、工业节能、电动汽车与新能源装备等领域应用极为广泛。          好了,IGBT芯片的整个加工流程介绍完了,

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